EMH60T2R

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
EMH60T2R P1
EMH60T2R P1
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Rohm Semiconductor ~ EMH60T2R

Numéro d'article
EMH60T2R
Fabricant
Rohm Semiconductor
La description
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
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Numéro d'article EMH60T2R
État de la pièce Active
Type de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 47k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition 250MHz
Puissance - Max 150mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur EMT6

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