EMH60T2R

TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
EMH60T2R P1
EMH60T2R P1
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Rohm Semiconductor ~ EMH60T2R

Número de pieza
EMH60T2R
Fabricante
Rohm Semiconductor
Descripción
TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W EMT6
Estado sin plomo / Estado RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
Ficha de datos
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Familia
Transistores - Bipolar (BJT) - Arreglos, prepolarizados
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Número de pieza EMH60T2R
Estado de la pieza Active
Tipo de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) 50V
Resistencia - Base (R1) (Ohmios) 2.2k
Resistencia - Base del emisor (R2) (ohmios) 47k
Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic 150mV @ 500µA, 5mA
Corriente - corte de colector (máximo) 500nA
Frecuencia - Transición 250MHz
Potencia - Max 150mW
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / caja SOT-563, SOT-666
Paquete de dispositivo del proveedor EMT6

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