2SK1058-E

MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P
2SK1058-E P1
2SK1058-E P1
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Renesas Electronics America ~ 2SK1058-E

Numéro d'article
2SK1058-E
Fabricant
Renesas Electronics America
La description
MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- 2SK1058-E PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article 2SK1058-E
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 160V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 7A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 10V
Vgs (Max) ±15V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-3P
Paquet / cas TO-3P-3, SC-65-3

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