2SK1058-E

MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P
2SK1058-E P1
2SK1058-E P1
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Renesas Electronics America ~ 2SK1058-E

Numero di parte
2SK1058-E
fabbricante
Renesas Electronics America
Descrizione
MOSFET N-CH 160V 7A TO-3P
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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Numero di parte 2SK1058-E
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 160V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 600pF @ 10V
Vgs (massimo) ±15V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 100W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-3P
Pacchetto / caso TO-3P-3, SC-65-3

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