PN100_G

INTEGRATED CIRCUIT
PN100_G P1
PN100_G P1
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ON Semiconductor ~ PN100_G

Numéro d'article
PN100_G
Fabricant
ON Semiconductor
La description
INTEGRATED CIRCUIT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples
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Numéro d'article PN100_G
État de la pièce Obsolete
Type de transistor NPN
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 500mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 45V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 400mV @ 20mA, 200mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 50nA
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 5V
Puissance - Max 625mW
Fréquence - Transition 250MHz
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Package de périphérique fournisseur TO-92-3

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