PN100_G

INTEGRATED CIRCUIT
PN100_G P1
PN100_G P1
Изображения служат только для ознакомления. Подробную информацию см. В технических характеристиках продукта.

ON Semiconductor ~ PN100_G

номер части
PN100_G
производитель
ON Semiconductor
Описание
INTEGRATED CIRCUIT
Бессвинцовый статус / RoHS Статус
Бессвинцовый / Соответствует RoHS
Техническая спецификация
- PN100_G PDF online browsing
семья
Транзисторы - биполярные (BJT) - одиночные
  • На складе $ Количество шт
  • Справочная цена : submit a request

Подать запрос цен на количество, превышающее отображаемое.

Параметр продукта

Все продукты

номер части PN100_G
Статус детали Obsolete
Тип транзистора NPN
Ток - коллектор (Ic) (макс.) 500mA
Напряжение - Разрыв эмиттера коллектора (макс.) 45V
Vce Saturation (Макс.) @ Ib, Ic 400mV @ 20mA, 200mA
Ток - отсечка коллектора (макс.) 50nA
Постоянный ток постоянного тока (hFE) (мин.) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 5V
Мощность - макс. 625mW
Частота - переход 250MHz
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип монтажа Through Hole
Упаковка / чехол TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Пакет устройств поставщика TO-92-3

сопутствующие товары

Все продукты