NVMFD5C668NLT1G

T6 60V S08FL DUAL
NVMFD5C668NLT1G P1
NVMFD5C668NLT1G P1
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ON Semiconductor ~ NVMFD5C668NLT1G

Numéro d'article
NVMFD5C668NLT1G
Fabricant
ON Semiconductor
La description
T6 60V S08FL DUAL
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- NVMFD5C668NLT1G PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article NVMFD5C668NLT1G
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 15.5A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 50µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 21.3nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 1440pF @ 25V
Puissance - Max 3W (Ta), 57.5W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 8-PowerTDFN
Package de périphérique fournisseur 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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