NVMFD5C668NLT1G

T6 60V S08FL DUAL
NVMFD5C668NLT1G P1
NVMFD5C668NLT1G P1
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ON Semiconductor ~ NVMFD5C668NLT1G

Numero di parte
NVMFD5C668NLT1G
fabbricante
ON Semiconductor
Descrizione
T6 60V S08FL DUAL
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
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Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
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Numero di parte NVMFD5C668NLT1G
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 15.5A (Ta), 68A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6.5 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 50µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 21.3nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1440pF @ 25V
Potenza - Max 3W (Ta), 57.5W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-PowerTDFN
Pacchetto dispositivo fornitore 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)

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