NTMFS4119NT1G

MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
NTMFS4119NT1G P1
NTMFS4119NT1G P1
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ON Semiconductor ~ NTMFS4119NT1G

Numéro d'article
NTMFS4119NT1G
Fabricant
ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 30V 11A SO8FL
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- NTMFS4119NT1G PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article NTMFS4119NT1G
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 11A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 60nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4800pF @ 24V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 900mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 mOhm @ 29A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 5-DFN (5x6) (8-SOFL)
Paquet / cas 8-PowerTDFN, 5 Leads

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