NTMFS08N004C

MOSFET N-CH 80V 126A 8PQFN
NTMFS08N004C P1
NTMFS08N004C P1
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ON Semiconductor ~ NTMFS08N004C

Numéro d'article
NTMFS08N004C
Fabricant
ON Semiconductor
La description
MOSFET N-CH 80V 126A 8PQFN
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- NTMFS08N004C PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article NTMFS08N004C
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 80V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 126A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4 mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 55nC @ 10V
Vgs (Max) ±20V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 4250pF @ 40V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 125W (Tc)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur 8-PQFN (5x6), Power56
Paquet / cas 8-PowerTDFN

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