NSBC123EDXV6T1G

TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
NSBC123EDXV6T1G P1
NSBC123EDXV6T1G P1
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ON Semiconductor ~ NSBC123EDXV6T1G

Numéro d'article
NSBC123EDXV6T1G
Fabricant
ON Semiconductor
La description
TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- NSBC123EDXV6T1G PDF online browsing
Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
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Numéro d'article NSBC123EDXV6T1G
État de la pièce Obsolete
Type de transistor 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 2.2 kOhms
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 8 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 5mA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition -
Puissance - Max 500mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur SOT-563

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