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| Numero di parte | NSBC123EDXV6T1G |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
| Resistor - Emitter Base (R2) | 2.2 kOhms |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 8 @ 5mA, 10V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
| Frequenza - Transizione | - |
| Potenza - Max | 500mW |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563 |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | Disponibile | vista | |
|---|---|---|---|---|---|---|
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NSBC113EDXV6T1 | ON Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | 0 | Dettagli | |
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NSBC113EDXV6T1G | ON Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | - | 0 | Dettagli |
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NSBC113EDXV6T5 | ON Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | 0 | Dettagli | |
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NSBC113EF3T5G | ON Semiconductor | TRANS PREBIAS DUAL NPN | - | 0 | Dettagli |
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NSBC113EPDXV6T1 | ON Semiconductor | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | 0 | Dettagli | |
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NSBC113EPDXV6T1G | ON Semiconductor | TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563 | - | 4000 | Dettagli |
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NSBC114EDP6T5G | ON Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.408W SOT963 | - | 128000 | Dettagli |
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NSBC114EDXV6T1 | ON Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | 0 | Dettagli | |
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NSBC114EDXV6T1G | ON Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | - | 24000 | Dettagli |
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NSBC114EDXV6T5G | ON Semiconductor | TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563 | - | 0 | Dettagli |
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NSBC114EF3T5G | ON Semiconductor | TRANS PREBIAS NPN 254MW SOT1123 | - | 0 | Dettagli |
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NSBC114EPDP6T5G | ON Semiconductor | TRANS NPN/PNP PREBIAS SOT963 | - | 448000 | Dettagli |