HGTP7N60A4-F102

N-CH / 7A 600V SMPS 1 IGBT
HGTP7N60A4-F102 P1
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ON Semiconductor ~ HGTP7N60A4-F102

Numéro d'article
HGTP7N60A4-F102
Fabricant
ON Semiconductor
La description
N-CH / 7A 600V SMPS 1 IGBT
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - IGBT - Simples
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Numéro d'article HGTP7N60A4-F102
État de la pièce Active
Type d'IGBT -
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 34A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 56A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 7A
Puissance - Max 125W
Échange d'énergie 55µJ (on), 150µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 60nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 11ns/100ns
Condition de test 390V, 7A, 25 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-220-3
Package de périphérique fournisseur TO-220-3

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