HGTP7N60A4-F102

N-CH / 7A 600V SMPS 1 IGBT
HGTP7N60A4-F102 P1
HGTP7N60A4-F102 P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

ON Semiconductor ~ HGTP7N60A4-F102

品番
HGTP7N60A4-F102
メーカー
ON Semiconductor
説明
N-CH / 7A 600V SMPS 1 IGBT
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- HGTP7N60A4-F102 PDF online browsing
家族
トランジスタ - IGBT - シングル
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製品パラメータ

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品番 HGTP7N60A4-F102
部品ステータス Active
IGBTタイプ -
電圧 - コレクタエミッタ破壊(最大) 600V
電流 - コレクタ(Ic)(最大) 34A
電流 - コレクタパルス(Icm) 56A
Vce(on)(Max)@ Vge、Ic 2.7V @ 15V, 7A
電力 - 最大 125W
スイッチングエネルギー 55µJ (on), 150µJ (off)
入力方式 Standard
ゲートチャージ 60nC
Td(オン/オフ)@ 25℃ 11ns/100ns
テスト条件 390V, 7A, 25 Ohm, 15V
逆回復時間(trr) -
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
パッケージ/ケース TO-220-3
サプライヤデバイスパッケージ TO-220-3

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