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ON Semiconductor ~ FDG6332C-F085P

Numéro d'article	FDG6332C-F085P
État de la pièce	Not For New Designs
FET Type	N and P-Channel
FET Caractéristique	Standard
Drain à la tension de source (Vdss)	20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	700mA (Ta), 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 700mA, 4.5V, 420 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	113pF @ 10V, 114pF @ 10V
Puissance - Max	300mW (Ta)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur	SC-88/SC70-6/SOT-363

Numéro d'article	Les fabricants	La description	PDF	En stock	Vue
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