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ON Semiconductor ~ FDG6332C-F085P

Número de pieza	FDG6332C-F085P
Estado de la pieza	Not For New Designs
Tipo de FET	N and P-Channel
Característica FET	Standard
Drene a la fuente de voltaje (Vdss)	20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	700mA (Ta), 600mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	300 mOhm @ 700mA, 4.5V, 420 mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Max) @ Vgs	1.5nC @ 4.5V, 2nC @ 4.5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	113pF @ 10V, 114pF @ 10V
Potencia - Max	300mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / caja	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paquete de dispositivo del proveedor	SC-88/SC70-6/SOT-363

Número de pieza	Fabricantes	Descripción	PDF	En stock	Ver
FDG6301N	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6	-	15000	Detalles
FDG6301N-F085	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6	-	434061	Detalles
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FDG6301N_F085	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 25V 0.22A SC70-6	-	15000	Detalles
FDG6302P	ON Semiconductor	MOSFET 2P-CH 25V 0.14A SC70-6	-	22723	Detalles
FDG6303N	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6	-	0	Detalles
FDG6303N-F169	ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6	-	21000	Detalles
FDG6303N_D87Z	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET 2N-CH 25V 0.5A SC70-6	-	0	Detalles
FDG6303N_G	ON Semiconductor	INTEGRATED CIRCUIT	-	21111	Detalles
FDG6304P	Fairchild/ON Semiconductor	MOSFET 2P-CH 25V 0.41A SC70-6	-	6000	Detalles
FDG6304P-F169	ON Semiconductor	INTEGRATED CIRCUIT	-	21051	Detalles