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| Numéro d'article | DLA11C-TR-E |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| Type de diode | Standard |
| Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Courant - Rectifié moyen (Io) | 1.1A |
| Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 980mV @ 1.1A |
| La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Temps de récupération inverse (trr) | 50ns |
| Courant - Fuite inverse @ Vr | 10µA @ 200V |
| Capacitance @ Vr, F | - |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | 2-SMD |
| Package de périphérique fournisseur | - |
| Température de fonctionnement - Jonction | 150°C (Max) |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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DLA100B1200LB | IXYS | RECT BRIDGE 1200V 132A DPAK | 0 | Détails | |
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DLA100B1200LB-TRR | IXYS | RECT BRIDGE 1200V 132ADPAK | 0 | Détails | |
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DLA10IM800UC | IXYS | DIODE GEN PURP 800V 10A TO252 | 0 | Détails | |
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DLA11C-TR-E | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD | 0 | Détails |