DLA11C-TR-E

DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD
DLA11C-TR-E P1
DLA11C-TR-E P1
Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.

ON Semiconductor ~ DLA11C-TR-E

Numéro d'article
DLA11C-TR-E
Fabricant
ON Semiconductor
La description
DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
DLA11C-TR-E.pdf DLA11C-TR-E PDF online browsing
Famille
Diodes - Redresseurs - Simples
  • En stock $ Quantité pcs
  • Prix ​​de référence : submit a request

Soumettez une demande d'offre sur des quantités supérieures à celles affichées.

Produit Paramètre

Tous les produits

Numéro d'article DLA11C-TR-E
État de la pièce Obsolete
Type de diode Standard
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) 200V
Courant - Rectifié moyen (Io) 1.1A
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si 980mV @ 1.1A
La vitesse Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Temps de récupération inverse (trr) 50ns
Courant - Fuite inverse @ Vr 10µA @ 200V
Capacitance @ Vr, F -
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 2-SMD
Package de périphérique fournisseur -
Température de fonctionnement - Jonction 150°C (Max)

Produits connexes

Tous les produits