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| Número de pieza | DLA11C-TR-E |
|---|---|
| Estado de la pieza | Obsolete |
| Tipo de diodo | Standard |
| Voltaje - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
| Corriente - promedio rectificado (Io) | 1.1A |
| Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 980mV @ 1.1A |
| Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| Tiempo de recuperación inversa (trr) | 50ns |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10µA @ 200V |
| Capacitancia @ Vr, F | - |
| Tipo de montaje | Surface Mount |
| Paquete / caja | 2-SMD |
| Paquete de dispositivo del proveedor | - |
| Temperatura de funcionamiento - unión | 150°C (Max) |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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DLA100B1200LB | IXYS | RECT BRIDGE 1200V 132A DPAK | 0 | Detalles | |
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DLA100B1200LB-TRR | IXYS | RECT BRIDGE 1200V 132ADPAK | 0 | Detalles | |
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DLA10IM800UC | IXYS | DIODE GEN PURP 800V 10A TO252 | 0 | Detalles | |
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DLA11C-TR-E | ON Semiconductor | DIODE GEN PURP 200V 1.1A 2SMD | 0 | Detalles |