A2T08VD020NT1

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T08VD020NT1 P1
A2T08VD020NT1 P1
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NXP USA Inc. ~ A2T08VD020NT1

Numéro d'article
A2T08VD020NT1
Fabricant
NXP USA Inc.
La description
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- A2T08VD020NT1 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - RF
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Numéro d'article A2T08VD020NT1
État de la pièce Active
Type de transistor LDMOS
La fréquence 728MHz ~ 960MHz
Gain 19.1dB
Tension - Test 48V
Note actuelle 10µA
Figure de bruit -
Actuel - Test 40mA
Puissance - Sortie 18W
Tension - Rated 105V
Paquet / cas 24-QFN Exposed Pad
Package de périphérique fournisseur 24-PQFN-EP (8x8)

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