A2T08VD020NT1

AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
A2T08VD020NT1 P1
A2T08VD020NT1 P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

NXP USA Inc. ~ A2T08VD020NT1

Artikelnummer
A2T08VD020NT1
Hersteller
NXP USA Inc.
Beschreibung
AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTO
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
- A2T08VD020NT1 PDF online browsing
Familie
Transistoren - FETs, MOSFET - HF
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Produktparameter

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Artikelnummer A2T08VD020NT1
Teilstatus Active
Transistor-Typ LDMOS
Frequenz 728MHz ~ 960MHz
Gewinnen 19.1dB
Spannung - Test 48V
Aktuelle Bewertung 10µA
Rauschzahl -
Aktueller Test 40mA
Leistung 18W
Spannung - Bewertet 105V
Paket / Fall 24-QFN Exposed Pad
Lieferantengerätepaket 24-PQFN-EP (8x8)

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