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| Numéro d'article | PMDT670UPE,115 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
| FET Caractéristique | Logic Level Gate |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 20V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 550mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 850 mOhm @ 400mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 1.14nC @ 4.5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 87pF @ 10V |
| Puissance - Max | 330mW |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | SOT-563, SOT-666 |
| Package de périphérique fournisseur | SOT-666 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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PMDT670UPE,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666 | 0 | Détails |