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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | PMDT670UPE,115 |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | 2 P-Channel (Dual) |
| FET-Eigenschaft | Logic Level Gate |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 20V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 550mA |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 850 mOhm @ 400mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.3V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 1.14nC @ 4.5V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 87pF @ 10V |
| Leistung max | 330mW |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Surface Mount |
| Paket / Fall | SOT-563, SOT-666 |
| Lieferantengerätepaket | SOT-666 |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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PMDT670UPE,115 | Nexperia USA Inc. | MOSFET 2P-CH 20V 0.55A SOT666 | 0 | Einzelheiten |