PMDT290UNEYL

PMDT290UNE/SOT666/SOT6
PMDT290UNEYL P1
PMDT290UNEYL P1
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Nexperia USA Inc. ~ PMDT290UNEYL

Numéro d'article
PMDT290UNEYL
Fabricant
Nexperia USA Inc.
La description
PMDT290UNE/SOT666/SOT6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
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Numéro d'article PMDT290UNEYL
État de la pièce Active
FET Type 2 N-Channel (Dual)
FET Caractéristique Standard
Drain à la tension de source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 800mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 380 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 950mV @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 0.68nC @ 4.5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 83pF @ 10V
Puissance - Max 500mW (Ta)
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur SOT-666

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