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| Numéro d'article | JANTXV2N6849U |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | P-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 100V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 6.5A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 34.8nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 320 mOhm @ 6.5A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | 18-ULCC (9.14x7.49) |
| Paquet / cas | 18-BQFN Exposed Pad |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | - | 0 | Détails |
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JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | Détails |
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JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | - | 0 | Détails |
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JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | - | 1226 | Détails |
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JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | Détails |
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JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 87 | Détails |
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JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | - | 100 | Détails |
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JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 39 | Détails |
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JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Détails |
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JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 36 | Détails |
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JANTX1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 4 | Détails |
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JANTX1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | Détails |