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BOM

JANTXV2N6849U

MOSFET P-CH 100V 6.5A
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - FET、MOSFET - シングル › JANTXV2N6849U
JANTXV2N6849U P1
JANTXV2N6849U P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Microsemi Corporation ~ JANTXV2N6849U

品番
JANTXV2N6849U
メーカー
Microsemi Corporation
説明
MOSFET P-CH 100V 6.5A
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- JANTXV2N6849U PDF online browsing
家族
トランジスタ - FET、MOSFET - シングル
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製品パラメータ

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品番 JANTXV2N6849U
部品ステータス Obsolete
FETタイプ P-Channel
技術 MOSFET (Metal Oxide)
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） 100V
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id） 6.5A (Tc)
駆動電圧（最大RDSオン、最小RDSオン） 10V
Vgs（th）（Max）@ Id 4V @ 250µA
ゲートチャージ（Qg）（Max）@ Vgs 34.8nC @ 10V
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds -
Vgs（最大） ±20V
FET機能 -
消費電力（最大） 800mW (Ta), 25W (Tc)
Rds On（Max）@ Id、Vgs 320 mOhm @ 6.5A, 10V
動作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
取付タイプ Surface Mount
サプライヤデバイスパッケージ 18-ULCC (9.14x7.49)
パッケージ/ケース 18-BQFN Exposed Pad

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画像 品番 メーカー 説明 PDF 在庫あり 見る
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