Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.
| Numéro d'article | JAN2N6989 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de transistor | 4 NPN (Quad) |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 800mA |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 10µA (ICBO) |
| Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Puissance - Max | 1.5W |
| Fréquence - Transition | - |
| Température de fonctionnement | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Package de périphérique fournisseur | TO-116 |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
|---|---|---|---|---|---|---|
|
JAN1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | Détails |
|
JAN1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | - | 0 | Détails |
|
JAN1N1186R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | - | 0 | Détails |
 |
JAN1N1188 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO5 | - | 1 | Détails |
|
JAN1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | Détails |
|
JAN1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | - | 0 | Détails |
|
JAN1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | - | 0 | Détails |
|
JAN1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Détails |
|
JAN1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Détails |
|
JAN1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 0 | Détails |
|
JAN1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 0 | Détails |
|
JAN1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | Détails |