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| Número de pieza | JAN2N6989 |
|---|---|
| Estado de la pieza | Active |
| Tipo de transistor | 4 NPN (Quad) |
| Current - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
| Voltaje: ruptura del emisor del colector (máximo) | 50V |
| Saturación de Vce (Máx) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Corriente - corte de colector (máximo) | 10µA (ICBO) |
| Ganancia de corriente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Potencia - Max | 1.5W |
| Frecuencia - Transición | - |
| Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo de montaje | Through Hole |
| Paquete / caja | 14-DIP (0.300", 7.62mm) |
| Paquete de dispositivo del proveedor | TO-116 |
| Imagen | Número de pieza | Fabricantes | Descripción | En stock | Ver | |
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JAN1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | - | 0 | Detalles |
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JAN1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | - | 0 | Detalles |
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JAN1N1186R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB | - | 0 | Detalles |
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JAN1N1188 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO5 | - | 1 | Detalles |
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JAN1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | - | 0 | Detalles |
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JAN1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | - | 0 | Detalles |
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JAN1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB | - | 0 | Detalles |
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JAN1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Detalles |
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JAN1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | - | 0 | Detalles |
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JAN1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 0 | Detalles |
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JAN1N1204AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | - | 0 | Detalles |
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JAN1N1206A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 12A DO203AA | - | 0 | Detalles |