APTGT75H60T1G

POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1
APTGT75H60T1G P1
APTGT75H60T1G P1
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Microsemi Corporation ~ APTGT75H60T1G

Numéro d'article
APTGT75H60T1G
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
POWER MOD IGBT FULL BRIDGE SP1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- APTGT75H60T1G PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article APTGT75H60T1G
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Full Bridge Inverter
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100A
Puissance - Max 250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 75A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 250µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 4.62nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP1
Package de périphérique fournisseur SP1

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