APTGT100A602G

MOD IGBT 600V 150A SP2
APTGT100A602G P1
APTGT100A602G P1
Les images sont fournies à titre indicatif.
Voir les caractéristiques du produit pour plus de détails.

Microsemi Corporation ~ APTGT100A602G

Numéro d'article
APTGT100A602G
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
MOD IGBT 600V 150A SP2
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- APTGT100A602G PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
  • En stock $ Quantité pcs
  • Prix ​​de référence : submit a request

Soumettez une demande d'offre sur des quantités supérieures à celles affichées.

Produit Paramètre

Tous les produits

Numéro d'article APTGT100A602G
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 150A
Puissance - Max 340W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 100A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 50µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 6.1nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas SP2
Package de périphérique fournisseur SP2

Produits connexes

Tous les produits