APTGT100A602G

MOD IGBT 600V 150A SP2
APTGT100A602G P1
APTGT100A602G P1
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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ APTGT100A602G

Artikelnummer
APTGT100A602G
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
MOD IGBT 600V 150A SP2
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
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Familie
Transistoren - IGBTs - Module
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Artikelnummer APTGT100A602G
Teilstatus Active
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Half Bridge
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 600V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 150A
Leistung max 340W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 100A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 50µA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 6.1nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart Through Hole
Paket / Fall SP2
Lieferantengerätepaket SP2

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