APTGT100DA120D1G

IGBT 1200V 150A 520W D1
APTGT100DA120D1G P1
APTGT100DA120D1G P1
Bilder dienen nur als Referenz.
Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.

Microsemi Corporation ~ APTGT100DA120D1G

Artikelnummer
APTGT100DA120D1G
Hersteller
Microsemi Corporation
Beschreibung
IGBT 1200V 150A 520W D1
Bleifreier Status / RoHS-Status
Bleifrei / RoHS-konform
Datenblatt
APTGT100DA120D1G.pdf APTGT100DA120D1G PDF online browsing
Familie
Transistoren - IGBTs - Module
  • Auf Lager $ Anzahl Stk
  • Referenzpreis : submit a request

Senden Sie eine Angebotsanfrage für größere Mengen als angezeigt.

Produktparameter

Alle Produkte

Artikelnummer APTGT100DA120D1G
Teilstatus Obsolete
IGBT-Typ Trench Field Stop
Aufbau Single
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) 1200V
Aktuell - Sammler (Ic) (Max) 150A
Leistung max 520W
Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A
Aktuell - Kollektor Cutoff (Max) 3mA
Eingangskapazität (Cies) @ Vce 7nF @ 25V
Eingang Standard
NTC-Thermistor No
Betriebstemperatur -40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart Chassis Mount
Paket / Fall D1
Lieferantengerätepaket D1

Verwandte Produkte

Alle Produkte