APTGT750U60D4G

IGBT 600V 1000A 2300W D4
APTGT750U60D4G P1
APTGT750U60D4G P1
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Microsemi Corporation ~ APTGT750U60D4G

Numéro d'article
APTGT750U60D4G
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
IGBT 600V 1000A 2300W D4
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- APTGT750U60D4G PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article APTGT750U60D4G
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 1000A
Puissance - Max 2300W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 800A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 1mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 49nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas D4
Package de périphérique fournisseur D4

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