APTGT50H60RT3G

POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
APTGT50H60RT3G P1
APTGT50H60RT3G P1
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Microsemi Corporation ~ APTGT50H60RT3G

Numéro d'article
APTGT50H60RT3G
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- APTGT50H60RT3G PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article APTGT50H60RT3G
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Full Bridge Inverter
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 80A
Puissance - Max 176W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 50A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 250µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 3.15nF @ 25V
Contribution Single Phase Bridge Rectifier
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP3
Package de périphérique fournisseur SP3

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