APTGT30DA170T1G

IGBT 1700V 45A 210W SP1
APTGT30DA170T1G P1
APTGT30DA170T1G P1
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Microsemi Corporation ~ APTGT30DA170T1G

Numéro d'article
APTGT30DA170T1G
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
IGBT 1700V 45A 210W SP1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- APTGT30DA170T1G PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article APTGT30DA170T1G
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1700V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 45A
Puissance - Max 210W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 30A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 250µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 2.5nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP1
Package de périphérique fournisseur SP1

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