APTGT150DH170G

IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
APTGT150DH170G P1
APTGT150DH170G P1
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Microsemi Corporation ~ APTGT150DH170G

Numéro d'article
APTGT150DH170G
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- APTGT150DH170G PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article APTGT150DH170G
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Asymmetrical Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1700V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 250A
Puissance - Max 890W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 150A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 350µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 13.5nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP6
Package de périphérique fournisseur SP6

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