APTGT150A120T3AG

IGBT ARRAY 1200V 220A 833W SP3
APTGT150A120T3AG P1
APTGT150A120T3AG P1
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Microsemi Corporation ~ APTGT150A120T3AG

Numéro d'article
APTGT150A120T3AG
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
IGBT ARRAY 1200V 220A 833W SP3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- APTGT150A120T3AG PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article APTGT150A120T3AG
État de la pièce Active
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 220A
Puissance - Max 833W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 150A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 250µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 10.7nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP3
Package de périphérique fournisseur SP3

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