APTGT100SK120D1G

IGBT 1200V 150A 520W D1
APTGT100SK120D1G P1
APTGT100SK120D1G P1
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Microsemi Corporation ~ APTGT100SK120D1G

Numéro d'article
APTGT100SK120D1G
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
IGBT 1200V 150A 520W D1
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- APTGT100SK120D1G PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article APTGT100SK120D1G
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT Trench Field Stop
Configuration Single
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 150A
Puissance - Max 520W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.1V @ 15V, 100A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 3mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 7nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas D1
Package de périphérique fournisseur D1

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