APTGF50H60T2G

POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP2
APTGF50H60T2G P1
APTGF50H60T2G P1
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Microsemi Corporation ~ APTGF50H60T2G

Numéro d'article
APTGF50H60T2G
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
POWER MOD IGBT NPT FULL BRDG SP2
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article APTGF50H60T2G
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT NPT
Configuration Full Bridge Inverter
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 65A
Puissance - Max 250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 50A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 250µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 2.2nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP3
Package de périphérique fournisseur SP3

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