APTGF150A120T3WG

IGBT NPT PHASE 1200V 210A SP3
APTGF150A120T3WG P1
APTGF150A120T3WG P1
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Microsemi Corporation ~ APTGF150A120T3WG

Numéro d'article
APTGF150A120T3WG
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
IGBT NPT PHASE 1200V 210A SP3
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - IGBT - Modules
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Numéro d'article APTGF150A120T3WG
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT NPT
Configuration Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 210A
Puissance - Max 961W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 150A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 250µA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 9.3nF @ 25V
Contribution Standard
Thermistance NTC Yes
Température de fonctionnement -
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SP3
Package de périphérique fournisseur SP3

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