APT95GR65JDU60

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
APT95GR65JDU60 P1
APT95GR65JDU60 P1
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Microsemi Corporation ~ APT95GR65JDU60

Numéro d'article
APT95GR65JDU60
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- APT95GR65JDU60 PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Simples
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Numéro d'article APT95GR65JDU60
État de la pièce Last Time Buy
Type d'IGBT NPT
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 135A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 380A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 95A
Puissance - Max 446W
Échange d'énergie -
Type d'entrée Standard
Charge de porte 420nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 29ns/226ns
Condition de test 433V, 95A, 4.3 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas SOT-227-4, miniBLOC
Package de périphérique fournisseur SOT-227

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