APT95GR65JDU60

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
APT95GR65JDU60 P1
APT95GR65JDU60 P1
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Microsemi Corporation ~ APT95GR65JDU60

Numero di parte
APT95GR65JDU60
fabbricante
Microsemi Corporation
Descrizione
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Scheda dati
- APT95GR65JDU60 PDF online browsing
Famiglia
Transistor - IGBT - Singoli
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Numero di parte APT95GR65JDU60
Stato parte Last Time Buy
Tipo IGBT NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 135A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 380A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 95A
Potenza - Max 446W
Cambiare energia -
Tipo di input Standard
Carica del cancello 420nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 29ns/226ns
Condizione di test 433V, 95A, 4.3 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SOT-227-4, miniBLOC
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-227

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