APT80M60J

MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
APT80M60J P1
APT80M60J P1
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Microsemi Corporation ~ APT80M60J

Numéro d'article
APT80M60J
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
MOSFET N-CH 600V 84A SOT-227
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
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Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article APT80M60J
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 84A
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 600nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 24000pF @ 25V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 960W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55 mOhm @ 60A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Package de périphérique fournisseur ISOTOP®
Paquet / cas SOT-227-4, miniBLOC

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