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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | APT80M60J |
|---|---|
| Teilstatus | Active |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 600V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 84A |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 600nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 24000pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±30V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 960W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 60A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Chassis Mount |
| Lieferantengerätepaket | ISOTOP® |
| Paket / Fall | SOT-227-4, miniBLOC |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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APT-CNOC | Altech Corporation | PANEL THERMOSTAT NO COOL CEL 10A | - | 2002 | Einzelheiten |
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APT-CNOF | Altech Corporation | PANEL THERMOSTAT NO COOL FAHRENH | - | 2002 | Einzelheiten |
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APT-HNCC | Altech Corporation | PANEL THERMOSTAT NC HEAT CELSIUS | - | 2002 | Einzelheiten |
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APT-HNCF | Altech Corporation | PANEL THERMOSTAT NC HEAT FAHRENH | - | 2002 | Einzelheiten |
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APT06DC60HJ | Microsemi Corporation | DIODE SIC SCHOTTKY 600V SOT227 | 0 | Einzelheiten | |
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APT1001R1BN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 10.5A TO247AD | 0 | Einzelheiten | |
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APT1001RBN | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 11A TO247AD | 0 | Einzelheiten | |
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APT10021JFLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | - | 0 | Einzelheiten |
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APT10021JLL | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 37A SOT-227 | - | 14 | Einzelheiten |
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APT1002RBNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1KV 8A TO247AD | - | 0 | Einzelheiten |
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APT10035B2FLLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | - | 3 | Einzelheiten |
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APT10035B2LLG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 1000V 28A T-MAX | - | 0 | Einzelheiten |