APT65GP60L2DQ2G

IGBT 600V 198A 833W TO264
APT65GP60L2DQ2G P1
APT65GP60L2DQ2G P2
APT65GP60L2DQ2G P1
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Microsemi Corporation ~ APT65GP60L2DQ2G

Numéro d'article
APT65GP60L2DQ2G
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
IGBT 600V 198A 833W TO264
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- APT65GP60L2DQ2G PDF online browsing
Famille
Transistors - IGBT - Simples
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Numéro d'article APT65GP60L2DQ2G
État de la pièce Not For New Designs
Type d'IGBT PT
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 600V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 198A
Courant - Collecteur pulsé (Icm) 250A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 65A
Puissance - Max 833W
Échange d'énergie 605µJ (on), 895µJ (off)
Type d'entrée Standard
Charge de porte 210nC
Td (marche / arrêt) à 25 ° C 30ns/90ns
Condition de test 400V, 65A, 5 Ohm, 15V
Temps de récupération inverse (trr) -
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-264-3, TO-264AA
Package de périphérique fournisseur -

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