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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | APT65GP60L2DQ2G |
|---|---|
| Teilstatus | Not For New Designs |
| IGBT-Typ | PT |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.) | 600V |
| Aktuell - Sammler (Ic) (Max) | 198A |
| Strom - Kollektorimpuls (Icm) | 250A |
| Vce (ein) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 65A |
| Leistung max | 833W |
| Energie wechseln | 605µJ (on), 895µJ (off) |
| Eingabetyp | Standard |
| Gate Ladung | 210nC |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C | 30ns/90ns |
| Testbedingung | 400V, 65A, 5 Ohm, 15V |
| Reverse Wiederherstellungszeit (trr) | - |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Paket / Fall | TO-264-3, TO-264AA |
| Lieferantengerätepaket | - |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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APT65GP60B2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 100A 833W TMAX | - | 119 | Einzelheiten |
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APT65GP60J | Microsemi Corporation | IGBT 600V 130A 431W SOT227 | - | 10 | Einzelheiten |
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APT65GP60L2DQ2G | Microsemi Corporation | IGBT 600V 198A 833W TO264 | - | 0 | Einzelheiten |