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| Numéro d'article | 2N6800 |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 400V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 5.75nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 2A, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Package de périphérique fournisseur | TO-39 |
| Paquet / cas | TO-205AF Metal Can |
| Image | Numéro d'article | Les fabricants | La description | En stock | Vue | |
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2N1016B | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | - | 48 | Détails |
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2N1016D | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | - | 48 | Détails |
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2N1131A | Central Semiconductor Corp | THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI | - | 0 | Détails |
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2N1131B | Central Semiconductor Corp | THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI | - | 0 | Détails |
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