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Produktdetails finden Sie unter Produktspezifikationen.
| Artikelnummer | 2N6800 |
|---|---|
| Teilstatus | Obsolete |
| FET Typ | N-Channel |
| Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain auf Source-Spannung (Vdss) | 400V |
| Strom - Dauerablass (Id) @ 25 ° C | 3A (Tc) |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min Rds Ein) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 5.75nC @ 10V |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET-Eigenschaft | - |
| Verlustleistung (Max) | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| Rds Ein (Max) @ Id, Vgs | 1 Ohm @ 2A, 10V |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart | Through Hole |
| Lieferantengerätepaket | TO-39 |
| Paket / Fall | TO-205AF Metal Can |
| Bild | Artikelnummer | Hersteller | Beschreibung | Auf Lager | Aussicht | |
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2N1016B | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | - | 48 | Einzelheiten |
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2N1016C | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | - | 48 | Einzelheiten |
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2N1016D | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | - | 48 | Einzelheiten |
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2N1131 | Central Semiconductor Corp | THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI | - | 0 | Einzelheiten |
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2N1131A | Central Semiconductor Corp | THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI | - | 0 | Einzelheiten |
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2N1131B | Central Semiconductor Corp | THROUGH-HOLE TRANSISTOR-SMALL SI | - | 0 | Einzelheiten |
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2N1310 | Central Semiconductor Corp | TRANS NPN 90V 0.2A TO5 | - | 86 | Einzelheiten |
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2N1481 | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | - | 2611 | Einzelheiten |
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2N1482 | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | - | 1577 | Einzelheiten |
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2N1483 | Microsemi Corporation | NPN TRANSISTOR | - | 1577 | Einzelheiten |