2N2609

JFETS
2N2609 P1
2N2609 P1
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Microsemi Corporation ~ 2N2609

Numéro d'article
2N2609
Fabricant
Microsemi Corporation
La description
JFETS
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
- 2N2609 PDF online browsing
Famille
Transistors - JFET
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Numéro d'article 2N2609
État de la pièce Active
FET Type P-Channel
Tension - Panne (V (BR) GSS) 30V
Drain à la tension de source (Vdss) -
Courant - Drain (Idss) @ Vds (Vgs = 0) 2mA @ 5V
Drain de courant (Id) - Max 10mA
Tension - Coupure (VGS désactivé) @ Id 750mV @ 1A
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 10pF @ 5V
Résistance - RDS (On) -
Puissance - Max 300mW
Température de fonctionnement -65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
Package de périphérique fournisseur TO-18 (TO-206AA)

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