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BOM

2N2609

JFETS
ホーム › 製品カテゴリ › ディスクリート半導体製品 › トランジスタ - JFET › 2N2609
2N2609 P1
2N2609 P1
画像は参考用です。
製品の詳細については、製品仕様をご覧ください。

Microsemi Corporation ~ 2N2609

品番
2N2609
メーカー
Microsemi Corporation
説明
JFETS
鉛フリーステータス/ RoHSステータス
鉛フリー/ RoHS準拠
データシート
- 2N2609 PDF online browsing
家族
トランジスタ - JFET
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製品パラメータ

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品番 2N2609
部品ステータス Active
FETタイプ P-Channel
電圧 - ブレークダウン（V（BR）GSS） 30V
ドレイン - ソース間電圧（Vdss） -
電流 - ドレイン（Idss）Vds（Vgs = 0） 2mA @ 5V
電流ドレイン（Id） - 最大 10mA
電圧 - カットオフ（VGSオフ）@ Id 750mV @ 1A
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds 10pF @ 5V
抵抗 - RDS（オン） -
電力 - 最大 300mW
動作温度 -65°C ~ 200°C (TJ)
取付タイプ Through Hole
パッケージ/ケース TO-206AA, TO-18-3 Metal Can
サプライヤデバイスパッケージ TO-18 (TO-206AA)

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