IXTH16N20D2

MOSFET N-CH 200V 16A TO-247
IXTH16N20D2 P1
IXTH16N20D2 P2
IXTH16N20D2 P1
IXTH16N20D2 P2
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IXYS ~ IXTH16N20D2

Numéro d'article
IXTH16N20D2
Fabricant
IXYS
La description
MOSFET N-CH 200V 16A TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS
Sans plomb / Conforme RoHS
Fiche technique
IXTH16N20D2.pdf IXTH16N20D2 PDF online browsing
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
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Numéro d'article IXTH16N20D2
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 16A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 208nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5500pF @ 25V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique Depletion Mode
Dissipation de puissance (Max) 695W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 73 mOhm @ 8A, 0V
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-247 (IXTH)
Paquet / cas TO-247-3

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